Фото: ТАСС/Вадим Жернов
Ученые из МФТИ впервые получили материал, который может стать основой для элементов энергонезависимой памяти, сообщает
ТАСС со ссылкой на пресс-службу института.
Они впервые вырастили сверхтонкие – 2,5 нанометра, сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния.
"Поскольку структуры из этого материала совместимы с кремниевой технологией, можно рассчитывать, что в ближайшем будущем непосредственно на кремнии могут быть созданы новые устройства энергонезависимой памяти с использованием сегнетоэлектрических поликристаллических слоев оксида гафния", – сказал заведующий лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич.
Отмечается, что в настоящее время объем хранимой и обрабатываемой информации в мире удваивается каждые полтора года. Для работы с ней нужно все больше компьютерной памяти, прежде всего такой, которая хранит информацию даже после отключения электропитания, то есть, энергонезависимой.
Идеалом должна стать "универсальная" память, которая обладает быстротой оперативной памяти, вместимостью жесткого диска и знергонезависимостью флешки. Подходом для создания такой технологии должна стать энергонезависимая память на сегнетоэлектрических туннельных переходах.
Сегнетоэлектрик – это вещество способное "запоминать" направление приложенного внешнего электрического поля. Запись информации в памяти на основе сегнетоэлектрических пленок производится подачей напряжения на электроды, а считывание – измерением туннельного тока.
Такая память может обладать исключительно высокой плотностью, скоростью записи и считывания, а также низким энергопотреблением. По мнению ученых, она может стать энергонезависимой альтернативой для современной динамический оперативной памяти.